| 研究概要 |
本年度研究では、総括年度として、これまでの開発してきた技術を確立し、その研究成果を知的技術基盤とするようにデータベース化した。
引き上げ(Cz)法、マイクロ引き下げ(μ-PD)法、フローティングゾーン(Fz)法によりドーパント入り酸化ガリウム単結晶((Ga_<1-x>W_x)_2O_3,(Ga_<1-x>Mo_x)_2O_3,(Ga_<1-x>Ge_x)_2O_3,(Ga_<1-x>Hf_x)_2O_3,(Ga_<1-x>Zr_x)_2O_3)を作製し、その結晶の電気的・光学的特性を調べた。また、酸素欠陥を導入する手法として熱処理を用い、n型半導体酸化ガリウム単結晶の作製を行った。概要をまとめると次のようになる。
1.引き上げ(Cz)法によりドーパント入り酸化ガリウム単結晶作成技術を確立した。作成した単結晶に対して、電気的特性としてn型半導体特性を、光学的特性としては青い発光特性を明らかにした。
2.マイクロ引き下げ(μ-PD)法によりドーパント入り酸化ガリウム単結晶作成技術を確立した。作成した単結晶に対して、電気的特性としてn型半導体特性を、光学的特性としては青い発光特性を明らかにした。
3.フローティングゾーン(Fz)法によりドーパント入り酸化ガリウム単結晶作成技術を確立した。作成した単結晶に対して、電気的特性としてn型半導体特性を、光学的特性としては青い発光特性を明らかにした。
4.Cz法、μ-PD法、Fz法により作成したドーパント入り酸化ガリウム単結晶に対して、酸素欠陥を導入する手法として熱処理を用い、混合雰囲気ガス(酸素と窒素)分圧比と熱処理温度の調整により、n型半導体特性を改選した。
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