研究概要 |
(1)FeRAM 測定素子は,35mm×12.5mmでMOS構造上の全面に下部電極となる白金を付着させ,その上に強誘電体のPZT(Pb(Zr×Ti)O_3)がゾル・ゲル法で厚さ220nm成膜され,さらにいくつかの上部電極の白金が付着している.試料をメタルのカンチレバーに貼り付け,これに曲げ応力を与えて張力と圧縮を加えた. ソーヤ・タワ回路にてヒステリシス曲線を観測した.応力下のヒステリシス曲線から,自発分極の応力依存性,残留分極の応力依存性,抗電界の応力依存性を求めることができた.これらの実験結果からFeRAMは初期の目的の不揮発性を用いたICカードのみならず,system on chipとして強誘電体薄膜をセンサやアクチエエータに使用可能なことがわかった.実験結果はメモリの繰返し書換によるfatigueにも強いことを示した. (2)MOS p-MOSおよびn-MOSの試料の寸法は面積L×W=250μm×400μm=10^5μm^2,T_<ox>=18nmである.試料をメタルのカレンチレバーに貼り付け,これに曲げ応力を与えて張力と圧縮応力を加えた.容量の測定を準静的に行なった.
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