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テトライシシアネートシラン(TICS)とトリメチルアミンで堆積できるOHフリーの低温CVDSiO2膜にビスジメチルアミノジフェニルシランを用いて含有させたフェニル基を熱脱離させて形成するポーラスシリカ膜について熱脱離温度の再検討を行い450℃で処理することで、空孔率の値が約40%と向上し屈折率と一致する結果が得られた。TICS流量を変えることで誘電率2.5が得られた。また、最適化した条件の試料の熱脱離前後で光電子分光スペクトルにどのような変化が見られるかを測定し、熱脱離前には287eV付近のフェニル基に起因するピークが見られたが熱脱離後ではほとんどされなくなっていることやTICS流量を増やすことで膜中に含まれるフェニル基の量が増していることも確認された。
耐プラズマ性、高熱伝導性を有するメチレン基含有シリカ膜へ含有されるメチレン基の量を向上させるためにビストリエトキシシリルメタンBTMとヒストリエトキシシリルエタンBTEを原料としてゾルゲル法でメチレン基を膜中に含むSOGを合成することに成功した。この膜ではk=2.6がえられた。さらに低誘電率化を実現するため沸点の低い材料を膜中に含ませ、ポーラス化する事を検討した。その結果、多孔質バルクの作製において実績のあるメチルペンタジオールMPDとBTEの組み合わせで均一な膜が得られた。FTIR測定により、450℃の真空アニールでMPDが完全に脱離できることを確認した。この結果は、X線光電子分光法、オージェ電子分光の結果とも一致した。また、450℃真空アニール後の電気的特性の測定より比誘電率が1.9であることと10^<14>Ωcmの抵抗率を示すことを確認した。膜密度が下がっていることはX線反射率測定やGIXA法により確認した。理論的に結合が強いCF構造を膜中に取り込むことも検討し初期的結果を得た。
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