| 研究概要 |
本年度は、GaN系薄膜作製装置の改造,AlGaN/GaN及びAlN/GaN超格子の作製・評価,レーザ実装器具の製作,レーザ基板用PbTeSe,PbSSe単結晶の成長,PbS/PbSe超格子,PbSnCaTe薄膜・量子井戸の作製・評価に取り組んできた。
AlGaN/GaN超格子に関しては,AlGaN層のAl組成の揺らぎは十分ではないが,周期性のよい超格子構造の作製に成功した。(窒化物半導体ワークショップ9月,名古屋発表)サブバンド間遷移赤外線レーザ用に原子層制御したAlN/GaN超格子を作製し,ピエゾ効果の小さい,バンド間発光効率の高い超格子が作製できることを示した。(MSSへ投稿中)また,5〜6μm帯光励起サブバンド間発光をGaAlN系超格子ではじめて確認した。(Appl.Phys.Lett.投稿予定)
長波長バンド間遷移レーザ用PbSnCaTe薄膜,PbSnCaTe/PbSnTe超格子を作製し,PbSnCaTe薄膜が波長10μm以上のPbSnTe系赤外線レーザのクラッド層,量子井戸障壁層として,格子整合,キャリヤ制御,バンド不連続の点で適することを明らかにした。
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