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LSIに用いる低誘電層間膜の重要性は益々増加、新らしい膜を望む声が高まって来た.この要求で従来の低誘電率化のみの取組みからLSIのプロセスインテグレーションに必要な、耐熱性、界面反応、密着力も重要であることも明らかになった.
本研究ではCVDフロロカーボン膜を中心に研究を進め下記の研究成果を2000年度に得た.
2000年度の研究実績
1)プラズマCVD法によるフロロカーボン膜の堆積技術を確立した.
2)この膜の堆積系中と膜中のC組成の関係を明らかにした.
3)フロロカーボン膜のC組成と膜の誘電率耐熱性との関係を明らかにした.誘電率の低減と耐熱性は相反事項である.
4)C/F=06の組成を有した膜は誘電率が2.6で、460℃の耐熱性が得られた.
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