ポリアミック酸とSiOガスを出発原料とする超肉薄SiCの創製と形状・特性制御

2001 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 12650672
• 研究機関: 長崎大学
• 研究代表者: 内山 休男 長崎大学, 工学部, 教授 (50039690)
• 研究分担者: 佐野 秀明 長崎大学, 工学部, 助手 (10253634)
• キーワード: ポリアミック酸 / SiOガス / シリコンカーバイド / 気相合成 / 形状制御 / 特性制御

研究概要

1.超薄SiC合成法の確立
厚さの異なるポリイミドフィルムを出発原料としたときに、8μm厚さフィルムの場合にはフィルム両面から進行したケイ化がフィルム中央まで達し、完全にSiC化されていた。また、時間を変えてケイ化したところ、時間が長いほどケイ化された領域、すなわち形成されたSiC層の厚さが厚くなった。以上のことから、出発フィルムの厚さとSiOガスの供給時間を制御することにより、形成されるSiC薄膜の厚さを制御できることが判った。
2.SiC特性制御
ポリアミック酸を合成する段階でホウ酸、ホウ酸トリフェニル、塩化ランタン等を添加し、イミド化してポリイミドとした。その結果、ホウ素またはランタン含有ポリイミドフィルムを得た。これらのフィルムの炭素化・黒鉛化挙動を調べた結果、ホウ素を添加した場合には黒鉛化が促進され、ランタンを添加した場合にはポリイミドからのガス発生が低温から起こり、炭素化が早くなることが判った。また、ランタン含有ポリイミド由来炭素フィルムについて、400℃までの温度で電気抵抗を評価した結果、電気抵抗率が高くなることが判った。

研究成果

• [文献書誌] T.HIGUCHI, N.URASE, H.SANO, Y.UCHIYAMA: "Proceeding of the 18th International Japan-Korea Seminar on Ceramics, Kagoshima, Japan, Nov. 20-22(2001), pp. 176-180."Effect of Texture and Structure of Carbon Source Films on Formation of β-SiC Thin Film. 5 (2001)
• [文献書誌] Y.UCHIYAMA, N.URASE, T.HIGUCHI, H.SANO: "Proceedings of the 3rd International Syposium on Eco-Materials Processing and Design. Asan, Korea, Jan. 27-29(2002), pp. 18-21."Effect of Carbon Sources on Synthesis of β-SiC. 4 (2002)