| 研究概要 |
金属クラスター錯体を化学修飾し、機能化を行った上で集積化させることによって興味ある電子物性を有する新規物質群を形成することを目的とし、本年度は、磁性配位子を有する遷移金属錯体の合成を以下の2系統について試みた。
1.ピリドン系配位子を有する遷移金属単核錯体の合成
ピリドン系配位子を有する[MCl_2(HL)_4]型錯体(M=Fe,Mn,Ni,Co)を合成したところ、すべて同型結晶であり、水素結合により4個の配位子が金属に平面状に配位して固定され、擬環状構造を有する六配位錯体であることが明らかとなった。さらに、本錯体の磁化率の金属依存性を明らかにした(論文投稿中)。一方、有機ラジカルであるニトロニルニトロシキドを導入したピリドン系配位子を合成することに成功した。現在、このラジカル性配位子を用い、同様の[MCl_2(HL)_4]型錯体の形成を試みている。
2.ラジカル性配位子を導入した遷移金属ホスフィン錯体の合成
2個の有機ラジカルを配位させた単核錯体を得ることを目的とし、p-またはm-位に水酸基を有するフェニルニトロニルニトロキシドのカリウム塩をMCl_2Lに対して反応させた(L=2PPh_3,dppe,dppp)。Ni錯体を用いた場合、m-置換体については目的物の合成に成功したが、p-置換体については、構造解析を行うことのできた結晶は目的物とは異なり、dppeの酸化生成物であるホスフィンオキシド、およびフェノラートのカリウム塩から構成されていることが明らかとなった。これらの錯体の酸化還元特性、磁気的性質についてさらに検討を行っている。
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