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本研究の目的はSiGe混晶薄膜の酸素曝露による酸化過程のその場観察である。本年度の計画は、既設の固体ソースMBE装置を用いてシリコン基板上へSiGe薄膜を作製し、その表面構造の酸素暴露による影響を超高真空STM装置にて観察し、SiGe膜の初期酸化過程を明らかにすることであった。
ではあるが、SiGe混晶表面の作製に使用する予定であった既設のMBE装置に障害が相次ぎその対応に追われたため、ここで作製した薄膜を試料とした研究は大幅に遅れているといわざるをえないのが現状である。しかしながら、コンポーネントの入れ換えを含むMBEシステム全体のチューンナップを進めた結果、安定に試料基板を作製できる目処がようやくにして立った。
一方、本年度の補助金は、初期酸化の観察をおこなう超高真空STM装置へ混晶薄膜の作製および気体導入機構を付加するために主に使用した。これにより試料表面を大気暴露することなく混晶表面の作製から酸素暴露、そしてその観測までを超高真空中でおこなうことが可能になる。
当初研究計画では、初年度に道具立てを整備しながら基礎的な実験をすすめ、第二年度に応用的な研究への展開を予定していた。今年度の研究の進行が全体として遅れ気味であることは否めないが、環境の整備がほぼ成った現在、次度においてこれを挽回すべく鋭意専心する所存であり、また、それは十分に可能であると確信している。
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