| 研究概要 |
本研究では次世代集積回路の創出に向けて, 絶縁膜上にGeをベースとしたIV族半導体を高品質形成, および, 歪み導入プロセス技術の開発を目標としている. 本年度に得られた成果を以下に記す.
(1)水中レーザーアニール(LA)法により絶縁膜上に形成したGe_<1-x>Sn_x(0<X<0.1)多結晶薄膜の電気的特性を調査した. x=0.02では, レーザー照射時の膜へのダメージを抑えつつ, 大粒径成長(～1μm)が可能であり, そのHall移動度も100cm^2/Vsと比較的良好な値を得ることに成功した.
(2)Sn誘起固相成長法を新たにSiへと展開した. 非晶質Si膜にSnを30%導入すれば, 非晶質膜の結晶化温度を150℃に低温化できることが顕微ラマン分光測定, X線回折測定等により判明した. 即ち, Ge-Sn系とほぼ同じ共晶点(231.9℃)を有するSi-Sn系でも, 結晶化温度の大幅低減ができることを見いだした. この結晶化温度は, 驚くべきことにSi_<0.7>Sn_<0.3>の融点(～1380℃)の約1/10である.
(3)n形Ge(100)基板上にSn, Al, Au電極を形成した各ショットキー・ダイオードに対して, 電流密度-電圧特性の温度変化(T=111K～300K)を測定し, 飽和電流J_s/T^2のアレニウスプロットの傾きからショットキーバリア高さ(SBH)を見積もった. Al, Au電極では, 過去の報告と同様, SBHは電極の仕事関数に依存しない(SBH～0.6eV). 一方, Sn電極ではSBH～0.35eVとショットキー極限に近いSBH値が得られた. 即ち, Sn/n形Geコンタクトにおいて, 低いショットキー障壁高さを観測した.
|
