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[文献書誌] K.Inoue, K.Furuno, H.Kato, N.Tanuma, K.Hikazutani, S.Sano, T.Hattori: "Interface Roughness Produced by Nitrogen Atom Incorporation at a SiO_2/Si(100) Interface"Japanese Journal of Applied Physics. 40・6A. L539-L541 (2001)
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[文献書誌] 服部健雄: "極薄シリコン酸化膜に関する研究の現状と課題"Journal of Vacuum Society of Japan(真空). 44・8. 695-700 (2001)
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[文献書誌] 高橋健介, 中村智裕, 野平博司, 廣瀬和之, 服部健雄: "X線光電子分光法による極薄シリコン酸化膜の高精度膜厚算出"Journal of Vacuum Society of Japan(真空). 44・8. 715-719 (2001)
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[文献書誌] 高橋健介, 服部健雄: "極薄ゲート絶縁膜の原子スケール構造解析"応用物理. 70・9. 1094-1095 (2001)
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[文献書誌] K.Hirose, K.Sakano, H.Nohira, T.Hattori: "Valence-band offset variation induced by the interface dipole at the SiO_2/Si(111) interface"Physical Review B. 64・15. 155325-1-155325-6 (2001)
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[文献書誌] K.Takahashi, M.B.Seman, K.Hirose, T.Hattori: "Energy Barrier for Valence Electrons at SiO_2/Si(111) Interface"Japanese Journal of Applied Physics(Express Letter). 41・3A. L223-L225 (2002)