| 研究分担者 |
楊 明 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (90240142)
益田 秀樹 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90190363)
奥村 次徳 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00117699)
角田 陽 東京都立大学, 大学院・工学研究科, 助手 (60224359)
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| 研究概要 |
従来提案者らが実施してきた分子の自律的整列による平滑面創成を進展させ,ナノテクスチャーの創成技術として展開する第一段階として,本年度は,Si-Siホモエピタキシャル成長における基板ポテンシャルエネルギ場の変化が原子配列に及ぼす影響の実験的解明を実施し,以下のことを明らかにした.すなわち,(111),(100)の2種類の面方位をもつ市販単結晶Si基板表面に対して,ポテンシャルエネルギ場の変化として,種々の成長および停止核の配列としてのプレパターンを付加し,これらの基板について,様々な実験条件でSiホモMBEを施し,それぞれにおいて創成されるナノテクスチャー面の幾何形状,組成および結晶構造などを解析した.
特定の条件でSi(111)基板上に成膜すると,ステップフロー成長となることを応用し,このステップの動きがプレパターンによって制御可能であり、ナノテクスチャー面の創成が可能であることを実験により実際に示した.また,プレパターン形状や基板の面方位ずれを変えることにより,テクスチャ形状を制御できることを明らかにした.
さらに,特定条件下におけるsi(100)に対するホモエピタキシでは,3次元核成長となることを応用し,核の発生位置の制御を試みた.プレパターン形状と核の整列状況の関係を実験により明らかにし,核の配列がプレパターンによって制御可能であることを具体的に示した.すなわち,核の配列を利用したナノテクスチャ面が創成可能であることを示した.
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