| 研究課題/領域番号 |
13305023
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
澤木 宣彦 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70023330)
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| 研究分担者 |
本田 善央 名古屋大学, 工学研究科, 助手 (60362274)
田中 成泰 名古屋大学, 理工科学総合研究センター, 講師 (70217032)
山口 雅史 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (20273261)
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| 研究期間 (年度) |
2001 – 2003
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| キーワード | GaN / ヘテロエピタキシ / 選択成長法 / ファセット成長 / 表面拡散 / MOVPE法 / HVPE法 / 量子ドット |
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| 研究概要 |
1.(111)シリコン基板上へMOVPE成長について、特にAlN緩衝層の役割と選択成長法による単位胞の縮小効果について検討し、200-500ミクロン角のクラックフリー結晶を得た。また、その電気的・光学的特性を測定し、界面ポテンシャルと電気抵抗の緩衝層厚さとの関係を評価するとともに、縦型デバイスの作製条件を明らかにした。
2.ファセット上へのMOVPE選択成長における混晶薄膜の組成と厚さを測定し、化学種の拡散現象(気相拡散と表面拡散)の役割を明らかにするとともに、ファセット上での拡散長を評価した。
3.MOVPE選択成長法による加工(001)シリコン傾斜基板上への結晶成長を試み、(1-101)面を有する窒化物結晶膜を始めて実現した。結晶軸を傾けることによるクラックフリー結晶の実現と新結晶面による超平坦ヘテロ界面を達成した。
4.HVPE選択成長法による(111)シリコン基板上への結晶成長をこころみ、AlN緩衝層を用いることによる厚膜結晶の作製手法を提案した。
5.GaNストライプ、GaAsドット上に量子井戸あるいは結合量子ドット構造を作製し、その光学的特性を測定し、フアセット上に得られた量子井戸構造の導波路としての優れた特性を明らかにするとともに、ドットにおける励起子の寿命がサイズにより長くなることを明らかにした。
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