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2003 年度 研究成果報告書概要

同位体組成制御と中性子照射改質に基づくSi量子計算の基礎研究

研究課題

研究課題/領域番号 13305025
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・機器工学
研究機関慶應義塾大学

研究代表者

松本 智  慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (00101999)

研究分担者 江藤 幹雄  慶應義塾大学, 理工学部, 助教授 (00221812)
黒田 忠広  慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (50327681)
桑野 博  慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (10051525)
研究期間 (年度) 2001 – 2003
キーワード量子コンピューティング / シリコン / スピンフリーシリコン / 同位体組成制御 / ^<31>P核スピン / 核磁気共鳴 / 単原子層ドーピング / 量子ダイナミックス
研究概要

シリコン(Si)量子コンピュータは、スピンフリーSi(^<28>Siあるいは^<30>Si)基板内に20nm程度の微小間隔で^<31>Pを配列させ、これをキュービットとして利用するものである。本研究では、その基本的なデバイス構造作製を目指し、同位体組成を制御するエピタキシャル成長と均一性に優れた中性子照射改質技術を組み合わせた実験を行うことを目標とした。本方法は、深さ方向に対してランダムなイオン注入技術に対して優れた特徴を有する。はじめに、ガスソースMBE成長法による^<30>Siのエピタキシャル成長技術を確立した。原料ガスとしてクルチャコフ研究所(ロシア)より購入した濃縮^<30>SiH_4を用い、SIMS分析により、ほぼ100%の^<30>Siエピ層、すなわちスピンフリーSiが得られた。続いて、本技術を用いて、ノーマル^<30>SiH_4と濃縮^<30>SiH_4を交互に供給することにより、天然Si/^<30>Si/天然Si(^<28>Si:^<29>Si:^<30>Si=92.2:4.7:3.1)同位体ダブルヘテロ構造を作製した。さらに、本試料に対して、日本原子力研究所において中性子照射を行い、^<30>Siの^<31>Pへの改質を行った。照射条件としては、熱中性子束1x10^<14>cm^<-2>s^<-1>、照射時間16時間であった。照射後、CAMECA-IMS-3fにより高精度SIMS測定を行い、照射後において、約5x10^<16>cm^<-3>の^<31>Pが形成されていることを確認した。この値は、中性子照射により予測される理論値とほぼ一致した。本方法により、スピンフリーSi中に一定面内に^<31>Pを配置させることが可能であることが明らかとなった。今後は、^<29>Si/^<30>Si(単原子層)/^<29>Si同位体ヘテロ構造を作製し、これに中性子照射を行うことにより、Siベース量子コンピュータの基本構造が作製可能と考えられる。

  • 研究成果

    (35件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (35件)

  • [文献書誌] Y.Nakabayashi: "Self-diffusion in Extrinsic Silicon Using Isotopically Enriched ^<30>Si"Jpn.J.Appl.Phys. 40. L181-L182 (2001)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Yanagawa: "Initial Growth of titanium germanosilicide on Ge/Si(111)"Appl.Surf.Sci.. 175-176. 90-95 (2001)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.Mori: "Formation of Ge quantum dots on boron-reconstructed surface /Si(111)"Materials Science and Engineering. B89. 188-190 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] H.I.Osman: "Effect of Vacancy double acceptor level on Si self diffusion under heavy doping condition"Electrochemical Society Proc. 2002-2. 248-253 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Nishimura: "Variation of silicon melt velocity with boron addition"Journal of Crystal growth. 237-239. 1667-1670 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Nakabayashi: "Fractional Contribution in Si Self-Diffusion : Dopant Concentration and temperature Dependence."Electrochemical Society Proc.. 2002-2. 241-247 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] N.Fujiwara: "Effect Nitrogen segregation on TED and loss of phosphorus in CZ-Si"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B186. 313-317 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Nakabayashi: "Type and charge states of point defects in heavily As-and B-doped silicon"Material Science in Semiconductor Processing. 6. 15-19 (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Nakabayashi: "Self-Diffusion in Intrinsic and Extrinsic Silicon Using Isotopically Pure ^<30>Si/Natural Silicon Heterostructures"Jpn.J.Appl.Phys.. 42. 3304-3310 (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Eto: "Multiparameter scaling of the kondo effect in quantum dots with an even number of electrons"Phys.Rev.. B66. 153319 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Hada: "Electronic states in silicon quantum dots multi vally artifical atoms"Phys.Rev.. B68. 155322 (2003)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] M.Eto: "Current-Induced Entanglement of Nuclear Spins in Quantum Dots"J.Phys.Soc.Jpn. 73. 307-310 (2004)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] J.Seto: "Lateral Solid Phase Recrystallization from the Crystal Seed in Ge-Ion-Implanted Amorphous Silicon"Jpn.J.Appl.Phys.. 40. 2150-2154 (2001)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Jeong: "Effects of various Hydrogenation Processes on Bias-stress-Induced Degradation in in P-channel Poly TFT"Jpn.J.Appl.Phys.. 41. 5046-5064 (2002)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Yokoyama: "Solid-Phase Crystallization Behavior of in-situ Phosphorus-Doped Amorphous Silicon Films"J.Appl.Phys.. 94. 770-773 (2003)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Matsumoto: "Diffusion in Si"Encyclopedia of Materials : Science and Technology. (2001)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 江藤 幹雄: "量子ドットにおける核スピンのエンタングルメント機構"固体物理. 38. 725-732 (2003)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] 松本 智: "半導体デバイスの基礎"培風館. 236 (2003)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] Y.Nakabayashi, T.Segawa, O.Hirman, S.Matsumoto, J.Murota, K.Wada, T.Abe: "Self-diffusion in Extrinsic Silicon Using Isotopically Enriched ^<30>Si"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.40. L181-L182 (2001)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Yanagawa, H.Nagai, K.Ishii, S.Matsumoto: "Initial Growth of titanium germanosilicide on Ge/Si(111)"Appl.Surf.Sci.. Vol.175-176. 90-95 (2001)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.Mori, H.Nagai, T.Yanagawa, S.Matsumoto: "Formation of Ge quantum dots on boron-reconstructed surface/ Si(111)"Materials Science and Engineering. Vol.B89. 188-190 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] H.I.Osman, Y.Nakabayashi, T.Sakaguchi, S.Matsumoto, J.Murota, K.Wada, T.Abe: "Effect of Vacancy double acceptor level on Si self-diffusion under heavy doping condition"Electrochemical Society Proc.. Vol.2002-2. 248-253 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Nishimura, S.Matsumoto, K.Terashima: "Variation of silicon melt viscosity with boron addition"Journal of Crystal Growth. Vol.237-239. 1667-1670 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Nakabayashi, Hirman Osman, K.Toyonaga, S.Matsumoto, J.Murota, K.Wada, T.Abe: "Fractional Contribution in Si Self-Diffusion Dopant Concentration and temperature Dependence on Si Self-Diffusion mechanism"Electrochemical Society Proc.. Vol.2002-2. 241-247 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] N.Fijiwara, K.Saito, Y.Nakabayashi, H.I.Osman, S.Matsumoto, Y.Sato: "Effect of Nitrogen segregation on TED and loss of phosphorus in CZ-Si"Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Vol.B186. 313-317 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Nakabayashi, H.I.Osman, K.Yokota, K.Toyonaga, S.Matsumoto, J.Murota, K.Wada, T.Abe: "Type and charge states of point defects in heavily As-and B-doped silicon"Materials Science in Semiconductor Processing. Vol.6. 15-19 (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Nakabayashi, H.I.Osman, K.Yokota, K.Toyonaga, S.Matsumoto, J.Murota, K.Wada, T.Abe: "Self-diffusion in Intrinsic and Extrinsic Silicon Using Isotopically Pure ^<30>Silicon/Natural Silicon Heterostructures"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.42. 3304-3310 (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Eto, Y.Nazarov: "Multiparameter scaling of the Kondo effect in quantum dots with an even number of electrons"Phys.Rev.. Vol.B66. 153319 (2002)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Hada, M.Eto: "Electronic states in silicon quantum dots multivally artifical atoms"Phys.Rev.. Vol.B68. 155322 (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Eto, T.Ashiwa, M.Murata: "Current-Induced Entanglement of Nuclear Spins in Quantum Dots"J.Phys.Soc.Jpn.. Vol.73. 307-310 (2004)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] J.Seto, Y.Kokubo, T.Nohda, H.Hamada, H.Kuwano: "Lateral Solid Phase Recrystallization from the Crystal Seed in Ge-Ion-Implanted Amorphous Silicon Films by Repetition Rapid Thermal Annealing"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.40. 2150-2154 (2001)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] Y.Jeong, D.Nagashima, H.Kuwano, T.Nohda: "Effects of various Hydrogenation Processes on Bias-Stress-Induced Degradation in p-Channel Polysilicon Thin Film Transistors"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.41. 5048-5064 (2002)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Yokoyama, H.Onizuka, Y.Yoshizawa, H.Kuwano: "Solid-Phase Crystallization Behavior of in-situ Phosphorus-Doped Amorphous Silicon Films Deposited Using Si_2H_6 and PH_3"J.Appl.Phys.. Vol.94. 770-773 (2003)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Matsumoto: "Diffusion in Si"Encyclopedia of Materials : Science and Technology (PERGAMON PRESS). (2001)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] M.Eto: "Entanglment Mechanism of nuclear spin In quantum dots"Solid-State Physics. Vol.38. 725-732 (2003)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より

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公開日: 2005-04-19  

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