| 研究課題/領域番号 |
13355030
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
山口 由岐夫 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (20332570)
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| 研究分担者 |
前之園 信也 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (00323535)
松井 功 東芝研究開発センター, 主任研究員
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| キーワード | 半導体ナノ粒子 / 光メモリー / 光ディスク / 近接場光学顕微鏡 |
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| 研究概要 |
半導体ナノ粒子は量子サイズ効果を示すため、次世代のオプトエレクトロニクス材料として近年注目を集めている。初年度である本年度は、(1)近接場光学顕微鏡による半導体ナノ粒子薄膜における光メモリー効果の基本特性評価と、(2)半導体ナノ粒子薄膜を記録層として用いた光記録媒体の評価装置の作製および動作確認を行った。
(1)近接場光学顕微鏡(SNOM)による基本特性評価
半導体ナノ粒子薄膜において発現する光メモリー効果が、近接場光によっても観察可能かどうかということについて検討を行い、結果として200×200nm^2という極微小領域での光メモリー効果を確認した。これによって、原理的には80GBという超高密度記録が可能であることがわかった。
(2)光ディスクとしての評価
実際に(1)で示したような現象を利用して、半導体ナノ粒子薄膜を記録層として光ディスクを作製することを考えた場合、書き込みおよび読み出しの速度やS/N比などの実用上の問題を解決する必要がある。そのような項目について評価可能な光学特性評価装置を作製し、動作確認を行った。
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