2003 年度実績報告書

表面金属シリサイドの化学結合と構造解析

研究課題

研究課題/領域番号	13440097
研究機関	九州大学
研究代表者	栃原浩九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (80080472)
研究分担者	高橋敏男東京大学, 物性研究所, 助教授 (20107395) 三好永作九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 教授 (70148914) 水野清義九州大学, 大学院・総合理工学研究院, 助教授 (60229705)
キーワード	表面構造 / 表面金属シリサイド / 低速電子回折法 / 表面X線回折法 / 分子軌道計算 / 化学結合
研究概要	最終年度である3年目の平成15年度は以下のような研究をおこなった。 (1)九大の栃原と水野は、初年度に製作した極低温低速電子回折装置を用いて、Si(001)表面の極低温でのLEED観察をおこない、前年度見いだした「n型では1/4次のスポット強度が約40Kで急速に減少する」現象は、電子ビーム照射効果によることを発見した。すなわち、約40Kで相転移が起きているのではなく、何らかの原因で約40K以下では、C(4x2)の傾斜ダイマーの配列がローカルにp(2x2)の配列に電子線によって変化する。この現象はp型でも同様であった。現在、論文を投稿中である。また、表面関係の総説誌であるProgress in Surface Science誌に、共著であるが、Si(001)c(4x2)構造のLEED電子線照射効果に関するレビューを執筆し、現在投稿中である。 (2)九大の三好は、Si(111)表面とタリウム原子との相互作用を高精度の分子軌道計算を注意深く行うことにより、最安定の吸着サイトを求めた。 (3)東大の高橋は、昨年度に引き続き、Si(111)√3x√3-Ag表面の低温、および室温構造を表面X線回折法により解析した。室温ではHCT(Honeycomb Chained Triangle)構造をとっているものが、低温では、室温より対称性の低いIET(Inequivalent Triangle)構造をとることが分かった。ブラッグピークのブラッグ成分と散漫散乱成分の分離することによって、それらの強度の温度依存性から、この相転移温度は150±4Kであることを明らかにした。

研究成果

(6件)

すべてその他

すべて文献書誌 (6件)

[文献書誌] S.Mizuno, Y.O.Mizuno, H.Tochihara: "Structural determination of indium-induced Si(111) reconstructed surfaces by LEED analysis : (root 3 x root3)R 30 and (4x 1)"Phys.Rev.B. Vol.67. 195410-1-195410-7 (2003)
[文献書誌] E.Miyoshi, T.Iura, Y.Sakai, H.Tochihara, S.Tanaka, H.Mori: "Molecular orbital study for Na, Mg, and A1 adsorption on the Si(111) surface"J.Mol.Str.(THEOCHEM). Vol.630. 225-232 (2003)
[文献書誌] T.Noda, S.Mizuno, C.W.Chung, H.Tochihara: "T4 site adsorption of T1 atoms in a Si(111)-(1x1)-T1 structure, determined by low-energy electron diffraction analysis"Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42 B. 319-321 (2003)
[文献書誌] T.Takahashi, H.Tajiri, K.Sumitani, K.Akimoto, H.Sugiyama, X.Zhang, H.Kawata: "X-ray diffraction study of the phase transition of Si(111) √3x√3-Ag surface"Surf.Rev.Lett. Vol.10(No.2&3). 519-524 (2003)
[文献書誌] H.Tajiri, K.Sumitani, S.Nakatani, A.Nojima, Takahashi, K.Akimoto, H.Sugiyama, X.Zhang, H.Kawata: "X-ray diffraction study on the Si(111) ) √3x√3-Ag surface"Phys.Rev.. vol.68. 035330-1-035330-5 (2003)
[文献書誌] T.Aoyama, K.Akimoto, A.Ichimiya, Y.Hisadai, S.Mukainakano, T.Emoto, H.Tajiri, T.Takahashi, H.Sugiyama, X.Zhang, H.Kawata: "Structural study of SiC(0001)3x3 surface by surface X-ray diffraction"Appl.Surf.Sci. Vol.216. 356-360 (2003)

2003 年度 実績報告書

表面金属シリサイドの化学結合と構造解析

研究代表者

栃原 浩 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (80080472)

研究成果

[文献書誌] S.Mizuno, Y.O.Mizuno, H.Tochihara: "Structural determination of indium-induced Si(111) reconstructed surfaces by LEED analysis : (root 3 x root3)R 30 and (4x 1)"Phys.Rev.B. Vol.67. 195410-1-195410-7 (2003)

[文献書誌] E.Miyoshi, T.Iura, Y.Sakai, H.Tochihara, S.Tanaka, H.Mori: "Molecular orbital study for Na, Mg, and A1 adsorption on the Si(111) surface"J.Mol.Str.(THEOCHEM). Vol.630. 225-232 (2003)

[文献書誌] T.Noda, S.Mizuno, C.W.Chung, H.Tochihara: "T4 site adsorption of T1 atoms in a Si(111)-(1x1)-T1 structure, determined by low-energy electron diffraction analysis"Jpn.J.Appl.Phys. Vol.42 B. 319-321 (2003)

[文献書誌] T.Takahashi, H.Tajiri, K.Sumitani, K.Akimoto, H.Sugiyama, X.Zhang, H.Kawata: "X-ray diffraction study of the phase transition of Si(111) √3x√3-Ag surface"Surf.Rev.Lett. Vol.10(No.2&3). 519-524 (2003)

[文献書誌] H.Tajiri, K.Sumitani, S.Nakatani, A.Nojima, Takahashi, K.Akimoto, H.Sugiyama, X.Zhang, H.Kawata: "X-ray diffraction study on the Si(111) ) √3x√3-Ag surface"Phys.Rev.. vol.68. 035330-1-035330-5 (2003)

[文献書誌] T.Aoyama, K.Akimoto, A.Ichimiya, Y.Hisadai, S.Mukainakano, T.Emoto, H.Tajiri, T.Takahashi, H.Sugiyama, X.Zhang, H.Kawata: "Structural study of SiC(0001)3x3 surface by surface X-ray diffraction"Appl.Surf.Sci. Vol.216. 356-360 (2003)

2003 年度実績報告書

栃原浩九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (80080472)