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昨年度整備した低温(約50K)から高温(約1400K)まで温度を変えることのできる試料マニピュレーターを用い、高エネルギー加速器研究機構放射光施設(PF)のピームライン15Bに設置されている6軸表面X線回折装置を利用して微小角入射X線回折実験を行った。
超高真空装置内でSi(111)面の清浄表面である7x7構造を作製したのち、Agを蒸着して√<3x>√<3>構造を作くり、50Kから450Kまでいくつかの温度で測定を行った。低温では回折ピークの周りに散漫散乱が観測された。これは、IET(InEquivalent Trangle)モデルにおいて、互いに回転方向の異なるtwinに相当するドメインがX線のコヒーレント領域内に存在することから説明できる。この散漫散乱の温度依存性から、相転移温度は約150Kであることを見いだした。さらに、散漫散乱の半値幅からtwin domainの大きさは、50Kでは約50A程度であることも分かった。また、臨界指数が1/8に比べて非常に大きく、さらに相転移温度前後で回折ピークの積分反射強度が変化することから、この系の相転移は秩序・無秩序型ではなく、むしろ変位型であると思われる。現在、転移温度以下の他の温度でのデータの解析も進めている。また、相転移温度以上では、これまで提唱されている対称性の高いHCT(Honeycomb Chained Triangle)モデルにおいて温度因子の異方性を取り入れた方がIETモデルよりよく一致することが分かった。現在、さらに非調和項もいれて解析をおこなっている。また、CCDをもちいたCTR散乱の測定から表面に垂直方向の情報を出すことも試みている。
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