シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築

2001 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 13450122
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 鳥海 明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50323530)
• 研究分担者: 弓野 健太郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 講師 (40251467)
• キーワード: シリコン

研究概要

基盤研究(B)(2)のスタートにあたって、当該分野の最先端の現状を精査するためにVLSIシンポジウム(京都で開催)に参加した。ここでは、技術的な側面が多く議論されたが、基礎的側面の取り組みの重要性が再認識された。そこには、異種材料の界面の電子状態をどう取り扱うかなども含まれている。
その後すぐに、本研究分野をより広く包含した基盤研究(S)の採択が通知されたため、基盤研究(B)(2)に関しては打ち切った。