| 研究課題/領域番号 |
13450133
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
三村 秀典 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (90144055)
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| 研究分担者 |
嶋脇 秀隆 八戸工業大学, 工学部, 助教授 (80241587)
佐藤 信之 東北大学, 電気通信研究所, 助手 (10178759)
横尾 邦義 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (60005428)
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| キーワード | GaAs微小電子源 / ガン効果 / 変調電子ビーム / マイクロ波・ミリ波発生 / トランジスタ制御 |
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| 研究概要 |
マイクロ波、ミリ波帯領域の変調電子ビームが発生できる微小電子源の開発を目指し、GaAsのガン効果を用いた微小電子源の開発を行った。
1.横型ウエッジGaAs微小電子源で、ガン効果に特徴付けられる電子放射を観測した。
2.縦型ウエッジGaAs微小電子源を製作し、放射電流特性に飽和現象を見出した。この飽和現象がガン効果によるものであることを、確認するための実験を開始した。
3.縦型で先端が尖ったGaAs微小電子源をECRドライエッチングとウエットエッチングで製作した。この試料の放射電流特性にも飽和現象を見出したため、変調電子ビームの放射に起因する電磁波の発生の検出を試みている。
4.縦型でより先端が尖ったGaAs微小電子源の製作をICPドライエッチングとウエットエッチングで試みている。
5.エミッタから直接得られる変調電子ビームの周波数計測システムの設計を終了し、実験装置の製作に取りかかった。
6.GaAs微小電子源アレイをトランジスタ制御することによる変調電子ビーム発生実験を開始した。
7.GaAs微小電子源アレイと市販のガンダイオードを直列に接続した、GaAsのガン効果電子源の検討を開始した。
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