| 研究課題/領域番号 |
13450382
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
高分子合成
|
|---|
| 研究機関 | 大阪府立大学 |
|---|
研究代表者 |
白井 正充 大阪府立大学, 工学研究科, 教授 (00081331)
|
|---|
| 研究分担者 |
岡村 晴之 大阪府立大学, 工学研究科, 助手 (10316010)
陶山 寛志 大阪府立大学, 工学研究科, 講師 (90305649)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2001 – 2003
|
| キーワード | 光酸発生剤 / 光塩基発生剤 / 光架橋 / 熱分解 / 再溶解 / エポキシ樹脂 / 光硬化 / リワーク |
|---|
| 研究概要 |
1)イミノスルホナートおよびN-ヒドロキシイミドのスルホン酸エステルを基本骨格とし、366nm光に感光する光酸発生剤を合成し、酸発生効率を評価した。366nm光を吸収するクロモフォアとして、フルオレノンおよびチオキサントンとその誘導体を合成して用いた。N-ヒドロキシイミドのスルホン酸エステル型は熱安定性に優れた光酸発生剤であることがわかった。
2)架橋剤として3級のカルボン酸エステルで結合した、トリエポキシ化合物を新規に合成した。架橋剤、光酸発生剤およびポリビニルフェノール(PVP)のブレンド物の薄膜は紫外光(254nm)照射後の比較的低温(〜100℃)での加熱により、架橋体が形成され溶剤に不溶になったが、得られた架橋・硬化体を120℃〜160℃で加熱すると、溶剤に溶解した。光酸発生剤を選択することにより、366nm光や436nm光で架橋する系の構築も可能であることがわかった。
エポキシ部分を有するp-スチレンスルホン酸エステルを合成し。光酸発生剤を含むこれらの高分子薄膜は紫外光照射すると架橋体が生成するが、架橋体を適当な温度で加熱すると、このものは水に溶解することがわかった。架橋体を熱分解するときの温度は、スチレンスルホン酸エステルのアルキル基の構造により、また用いた光酸発生剤の種類に依存することがわかった。
|
