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本研究においてB細胞活性と免疫記憶形成に関わる分子機構の解明を目的として研究を行い、これまでに記憶B細胞が免疫早期に産生され、一定の頻度で長期に維持されることを明らかにした。またこの過程でFas-FasLを介した刺激により記憶B細胞のレパートリーの形成と抗原非存在下での維持が調節されることを明らかにした。一方、胚中心形成後の記憶B細胞産生に関わる分子機構に不明の点が多いことからRasの役割について優性抑制型RasをB細胞に強発現するモデルマウスを作製し解析した。この結果、Ras活性が抑制されると高親和性記憶B細胞の頻度が減少し、また2次抗原刺激においてB細胞の応答が阻害されるGCB細胞でのことが明らかとなった。しかしRas活性が抑制されても一次免疫応答における抗体産生のレベルと親和性の上昇、胚中心形成、体細胞変異の蓄積、高親和性GCB細胞と抗体産生細胞の選択は阻害されなかった。以上の結果はRasを介した刺激伝達系は高親和性細胞を有する記憶B細胞集団の確立と2次刺激に対応する記憶B細胞活性と最終分化に重要な役割を果たす可能性を明らかにした。IgG陽性高親和性記憶B細胞は胚中心で胚中心B細胞より産生されると考えられ、発現するVH遺伝子に体細胞変異の蓄積を有する。一方、我々はこれに反して、IgG陽性低親和性B細胞が胚中心形成前あるいは体細胞変異導入前に産生されることを示唆した。この問題に関し、胚中心形成に必要なBcl-6の発現を欠くネズミにおいて低親和性記憶細胞が産生され、この細胞VH遺伝子には体細胞変異の蓄積のないことを明らかにした。これらの結果は、これまで考えられていたシナリオと異なり記憶B細胞に2つの経路すなわち胚中心依存性及び非依存性の経路が存在することが明らかにされた。
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