| 研究課題/領域番号 |
13555240
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
細野 秀雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (30157028)
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| 研究分担者 |
大登 正敬 昭和電線電纜(株), 研究開発部, 研究員
植田 和茂 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助手 (70302982)
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| キーワード | 深紫外ファイバー / モディファイドシリカ / 点欠陥 / エキシマーレーザー / 光導波路 |
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| 研究概要 |
本年度は、モディファイドシリカガラスをファイバー化したものについて、耐エキシマーレーザー耐性の向上とファイバー先端の先鋭化処理の検討を中心に研究を行った。得られた主な成果を以下にまとめる。
(1)ファイバーを紡糸後、80℃で10気圧程度の高圧水素ガス中で処理することで、ArFエキシマーレーザーを50mJ/cm^2・palse×10^5palse照射しても193nmの波長で1m当り60%以上の透過率を保つことが分かった。
(2)欠陥生成に対するH_2-loadingの効果を検討するために、ポンプ-プローブ方を開発した。この装置はF2レーザーを1発照射で生成した酸素のダングリングボンドをin-siteで測定することができる。SiOHのNBOHC+H・、そして2H・=H_2の生成温度域と量子効率を明らかにした。
(3)200ppmのフッ素ドープしたシリカガラスが純粋なシリカガラスより極めてエッチング特性が優れていることを見出した。そして、このガラスをコアとした深紫外ファイバーをフッ酸中に浸漬するだけで、先端を先鋭化することができ、UV-SNOMのプローブとしての可能性を示唆した。
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