| 研究課題/領域番号 |
13650366
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| 研究機関 | 八戸工業大学 |
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研究代表者 |
嶋脇 秀隆 八戸工業大学, 工学部, 助教授 (80241587)
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| 研究分担者 |
増田 陽一郎 八戸工業大学, 工学部, 教授 (00048175)
三村 秀典 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (90144055)
横尾 邦義 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (60005428)
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| キーワード | 微小電子源 / 冷陰極 / エネルギー計測 / 電界電子放射 |
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| 研究概要 |
平成14年度の研究実績の概要を以下に示す。
・平成13年度同様、東北大学電気通信研究所超高密度・高知能システム実験施設の設備を用いて、Si電界放射陰極を製作し、Si電界放射陰極のティップにカーボンナノチューブを選択成長させ、2極電極構造により電界電子放射特性を測定した。ゲート電極のないSi電界放射陰極に比べ、しきい値電圧が1/5に低減すること、比較的低真空(10^<-4>Pa)でも動作することを確認した。
・多孔質シリコン陰極を製作し、上部Au電極の膜厚5、20、40nmについてエネルギー分布を測定した。いずれの場合も15eV以上のエネルギー幅を持つと共に膜厚が厚くなるにつれ高エネルギーの放射電子分布が得られた。また、Csをコートした場合、エネルギー分布は全体的に高エネルギー側にシフトするが、低エネルギー側に新たなピークが現れるなどの変化が見られなかった。これらから、多孔質シリコン陰極からの電子放射は、これまで報告されているような多孔質シリコンからのトンネル現象による電子放射ではなく、結晶粒界を伝導した電子が上部Au電極薄膜中を透過せずに電界放射されているとの知見を確認した。
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