本年度の研究成果は以下の通りである。 1.ポリシリコン製のスペーサーによりダイヤフラムと光ファイバーとの間に数μmのギャップを形成するため、シリコン基板をエッチング後ポリシリコンでこれを埋め、CMP(化学的機械的ポリッシング)法によりスペーサー以外の部分を除去する方法を開発した。これにより、ダイヤフラム反射面を鏡面状態に仕上げることが可能となった。 2.スリーブ形成にはシリコンを垂直にエッチングすることが必要であるが、SF_6を用いたCCP(容量結合型プラズマ源)によるリアクティブイオンエッチングを用いて、サイドエッチの少ない形状を得ることが可能となった。 3.ダイヤフラム材料としてニッケルを用いることにより、エッチングマスク及びエッチストップとしての機能を兼用することができ、又膜厚コントロールが容易なことから圧力感度の分布を制御できる利点がある。
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