| 研究概要 |
本年度はヘテロ接合を用いた検出器の製作に着手した。エミッタ、ベース、電極引き出しの各パターンのフォトマスクを製作し、それを用いてフォトリソグラフィ、化学選択エッチングを行ない、n-AlGaAsエミッタ、及びp^+-GaAsベースを形成した。
n^+-GaAs/n-AlGaAs/p^+-GaAs層の化学選択エッチングには、クエン酸アンモニア過酸化水素水、及び熱フッ酸を用いているが、それらのエッチング条件を決定した。エミッタは直径が3〜6μmのアレイ状のものとし,周囲にベース領域を設けている。電極の引き出しは,現在、タングステンカーバイドプローブ、または尖端を機械的に研磨したPtの細線を用いている。次の段階ではエアーブリッジ構造の電極配線を採用する予定である.
化学選択エッチング工程のテスト用電極を用いて、エミッタ・ベースI-V特性を測定した。タングステンカーバイド製のプローブを用いてn-GaAs/n-AlGaAsとの間のショットキ接触のI-V特性測定を行いながら化学選択エッチングをくり返すと,立ち上がりが鋭く直列抵抗の少ないn-AlGaAs/P-GaAs接合の特性が得られた。これらより選択エッチングの条件はほぼ確立された。現在ベース電極形成プロセスの改良を行っているところである。
今後、トランジスタ特性を確かめた後、マイクロ波及びミリ波帯で、まずはロングワイヤアンテナと組み合わせて検出特性を測定する予定である。
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