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本研究の目的は超伝導体を強磁性体で挟んだサンドイッチ構造を作製し両側の強磁性体の磁化を平行、反平行にした時に生ずる超伝導臨界温度(Tc)の違いを利用してそれをスウィッチとして使おうと言うものである。具体的には超伝導体としてNb、V、Pb、NbTi、Nd3Si、YBCO等色々な超伝導体を選択しまた強磁性体としてはパーマロイ等の保磁力の小さい磁化し易いものを選び、片側の強磁性層だけ反強磁性体で接合し磁化の反転を容易にしないように押さえておく。この様にする事によって小さい外部磁場で上記の平行、反平行状態を作り出す事が出来るが、問題は超伝導体にTcの差が出るかどうかである。このTcの違いの出現はまだ理論的に予測されたのみで実験的には実現はされておらず、そのためにかなりの基礎研究が必要となってくる。本年度はそのためにいくつかの基礎実験を行ってきた。我々はまず.第一段階として超伝導薄膜や多層膜(超伝導体(S)/強磁性体(F)、S/常磁性体(N)、S/S等)のTcの性質をSの相手をF、N、S等色々変える事によって調べてきた。具体的には、(1)多層膜としての超伝導体の性質を調べる。即ち多層膜としては、NbやNbTiを基としてそれが薄膜状態やスペーサーを入れて多層状態を取った時のTcの変化。(2)S/F多層膜(せいぜい2-4層膜をも含めて)の強磁性体の変化(磁化、層厚等)によるTcの変化、等に就いて調べて来た。(1)についての結果より近接効果に依存した超伝導体の振る舞いが大分解ってきた。また(2)に就いての結果より強磁性層の厚さ、層数によってはTcが微妙に変化をする状態が実現することがあり、そのような状態を選ぶ事により当初の目的が実現する可能性も出てきた。従ってこれらの研究を踏まえてこんご上記に述べた系のアプロウチを行っていく。
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