| 研究概要 |
本研究の目的は、液晶相転移点近傍でスピンクロスオーバー挙動を示す金属錯体液晶を開発することである。交付申請時の合成計画は進展中であるが、本年度は以下の作業を行った。
1.室温スピンクロスオーバー錯体(プロトタイプ)の液晶化修飾
プロトタイプ[Fe^<II>(Hata)_3]Y_2・2H_2O(Hata=4-アミノ-1,2,4-トリアゾール、Y=アルキルスルホン酸イオン)の配位子Hataのアミノ基を4-アルコキシベンジリデン残基で置換した誘導体の合成を試みた。配位子および対イオン上のアルキル基が、ヘキシルないしオクチル基といった中程度の長さの系を試したが、生成物は多くても三核程度のオリゴマー錯体であり、目的の鎖状配位高分子を得るためには合成条件のさらなる検討が必要であることがわかった。この結果は、以前に調べたY=塩化物イオンのような単純な塩の場合と類似している。
2.新規配位子・錯体の合成
液晶性金属錯体の合成にはサリチルアルディミン系の二座キレート配位子が多用されている。一方、低温の固体状態においてではあるが、スピン転移を示すFe錯体を多く与える配位子として類縁の五座キレートがある。そこで、次善の策として今後これらの系も探査する目的で、サリチリデン残基を複数のアルキル長鎖で修飾した各種誘導体を準備した。
また、本年度の設備関係の作業として、偏光顕微鏡装置の機能拡充を計画通り実施した。上記1で得られた化合物は液晶性を示さなかったので、リオトロピック液晶系への展開を目的として若干の予備測定を行った。
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