アルケンから容易に調整可能なハロヒドリンまたはα-ゼレノアルコールの水酸基にトリメチルシリルエチニルジメチルシリル(TEDMS)基をラジカル受容tetherとして導入し、アトムトランスファー条件下のラジカル反応に付すとendo-環化ラジカルがハロゲン(またはSePh基)でトラップされたエキソメチレン体が生成するものと推論した。さらにフッ素イオンまたは適当な塩基で処理すると脱離反応ならびに脱TMS反応が進行する結果、エチニル基の立体選択的導入が可能と考え、以下を検討した。 先ず、TEDMS基を導入したフェニルセレノインダノール誘導体をモデル基質として種々検討した結果、トリエチルボランを開始剤とする場合に期待したアトムトランスファー反応が効率的に進行することを見い出した。さらにテトラブチルアンモニウムフロリドで処理すると、閉環部をエチニル基にone-potで変換できることが分かった。反応経路を確認するためにアトムトランスファー環化中間体の単離を試みたが、不安定で成功しなかった。しかし、この中間体を種々の反応剤で処理した結果から、当初の予想通りの機構であることが確認できた。現在、反応条件の最適化及び一般性を検討している。
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