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平成13年度は申請書の研究計画に挙げたように、測定技術の開発に重点をおいて研究をすすめた。
まず、量子ホール効果の発現に不可欠な強磁場、極低温の環境を実現するために、パルス幅150msec、最高磁場35Tの長時間パルス磁石を実際に製作し、最低到達温度40mKの希釈冷凍機と組み合わせたシステムを構築した。従来のパルス磁石に比べ5倍以上長いパルス幅により、磁場の時間変動に伴う発熱を抑えることが可能になった。実際に半導体2次元電子系の試料について本システムを用いた電気抵抗測定を行い、十分な精度で測定が行えることを確認した。
一方、本研究で重要な役割をはたすピエゾ素子を用いた小型回転機構についても並行して開発を行い、室温での動作を確認した。また、電気抵抗測定と併せて磁化を測定することを目指して、短パルス磁場下でも使用できる高感度磁気トルク計を開発した。市販の原子間力顕微鏡のカンチレバーを用いることで、再現性よく安価で製作出来る。40Tの磁場下で10^<-11>Nmの感度を有し、今後熱力学的な測定も可能になるものと思われる。
試料作製に関しても、分子線エピタキシー装置の立ち上げを行った。試料としてGaAs系半導体の成長を行い、成長条件の最適化をはかった。
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