| 研究概要 |
パルスイオンビーム蒸着法により、結晶質SrAl_2O_4 : Eu, Dy薄膜の室温堆積を行った。ターゲットにはSrAl_2O_4 : Eu, Dy焼結体、これに加速電圧1MV(ピーク)、電流70kA、パルス幅50nsのパルス軽イオンビームを照射し、アブレーションプラズマを室温の単結晶Si基板に堆積させた。粉末X線回折の結果SrAl_2O_4 : Eu, Dy相が検出され、フォトルミネッセンス測定の結果SrAl_2O_4 : Eu, Dy相に特有な520nmの発光が見られた。このことから、室温でも結晶質SrAl_2O_4 : Eu, Dy薄膜が作製できたことがあった。一方、粉末X線回折結果にSrAl_2O_4相のピークが見られない試料もみられた。この試料でも520nmの弱い発光が検出された。この薄膜を広範囲高分解能透過型電子顕微鏡(LA-HRTEM)観察したところ、SrAl_2O_4粒子が見られた。このことから、粉末X線回折で検出できない微量なSrAl_2O_4粒子が発光に寄与しているものと結論された。
室温で結晶質SrAl_2O_4 : Eu, Dyを作製できるパルスイオンビーム蒸着法を用い、ポリエチレン基板上へのSrAl_2O_4 : Eu, Dy薄膜の作製を行った。上記と同様に、室温のポリエチレン基板上に成膜した。粉末X線回折、フォトルミネッセンス測定の結果、結晶質SrAl_2O_4 : Eu, Dy相が観察された。このことから、パルスイオンビーム蒸着法により酸化物結晶質基板を、低融点・分解温度基板上に作製できることを実証した。
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