| 研究概要 |
半導体プロセスで用いられるプラズマは、より高度な制御性が求められており、プラズマ中の化学活性種の組成を決定するエネルギー分布関数が重要視されている。本研究の目的は、プラズマ中の化学活性種と電子エネルギー分布関数の制御に関する一般的な指針を得ることであり、本年度は次の項目について重点的に研究を行った。
(1)電子エネルギー分布関数計測のための機器の購入・製作:高性能の絶縁プリアンプ、A/Dコンバーターを用い再現性・信頼性の高い計測を可能とした。
(2)電子エネルギー分布関数の計測と制御:異なるプラズマ生成源(表面波プラズマ、誘導結合プラズマ)を用い、電子エネルギー分布関数の違いを詳細に調べ体積加熱と表面加熱の違いを明らかにした。
(3)希釈ガス依存性:混合する希ガスを、He,Ne,Ar,Kr,Xeと変化させ、電子エネルギー分布関数、電子温度の電離電圧依存性を実験及び計算から明らかにした。
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