| 研究概要 |
反転シクロデキストリンを合成するための基礎研究として,嵩高いシリル基の導入によるグルコースの環立体配座を制御する方法を調べた.従来の嵩高いシリル基の立体反発によるピラノース環の配座反転例をみると,隣接した1,2トランスの関係にある水酸基に嵩高いシリル基を導入すると反転が起こることが予想される.
グルコースの場合3,4位水酸基に容易に入手できる最も嵩高いシリル保護基,tert-ブチルジメチルシリル基を導入したときには環立体配座が反転した.しかし,2,3位水酸基への嵩高いシリル保護基導入による環反転は困難であることも明らかになった.反転シクロデキストリンの合成には,シリル保護基による反発を利用するなら2,3位水酸基への導入による反転が必須である.そのため,本手法は目的化合物の合成には適用できないと判断し,別法である3,6位を架橋することによる環反転を検討し,フタロイル基を用いることで架橋化が可能であることを確認した.また,研究の途上で数種類の脱離基を有する糖供与体を単一の活性化剤でグルコシドとする手法を開発した.
|
