2003 年度実績報告書

シリコン/微小空隙/シリコン構造を用いたトンネル分光マイクロセンサの研究

研究課題

研究課題/領域番号	13875012
研究機関	大阪大学
研究代表者	森田瑞穂大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905)
研究分担者	有馬健太大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (10324807)
キーワード	マイクロセンサ構造 / トンネル分光 / シリコン酸化膜
研究概要	単結晶シリコン/シリコン酸化膜/単結晶シリコン基板を用いたシリコン/微小空隙(マイクロギャップ)/シリコン構造デバイスにより、従来のトンネル分光法が分光対象としていた固体に加えて、液体、気体材料の分光も可能にするトンネル分光マイクロセンシング法を開拓する目的に対して、マイクロセンサの微小空隙に液体を導入することにより、液体の導入を静電容量とコンダクタンスの変化で検出できることを明らかにしている。超清浄精密制御熱酸化装置を用いて、2枚の単結晶シリコンウェハ表面に100nmの厚さのシリコン酸化膜を形成し、エッチングによりシリコン酸化膜の一部を除去した後、シリコン酸化膜除去部を向かい合わせて2枚のシリコンウェハを室温で貼り合わせ、貼り合わせたウェハを超高純度窒素ガス中での1000℃の加熱処理を行い、2枚のウェハを埋め込み酸化膜となるシリコン酸化膜を介して接着させ、シリコン酸化膜除去部が微小空隙となるマイクロセンサ構造を製作している。マイクロセンサの微小空隙を通るシリコン間の距離は200nmである。シリコン/シリコン酸化膜/シリコン構造部の両方のシリコン外側表面に金属を蒸着して、電極を形成し、センシングデバイスを製作している。次に、マイクロセンサの微小空隙に超純水を導入する前の所定の印加直流電圧で所定の印加交流電圧での静電容量とコンダクタンスを測定しておき、微小空隙に超純水を導入したときに同じ印加電圧での静電容量とコンダクタンスが変化することを明らかにしている。さらに、マイクロセンサの微小空隙に超純水が導入されていることを、フーリエ変換赤外吸収測定により確認している。

研究成果
(6件)

すべてその他

すべて文献書誌 (6件)

[文献書誌] Yasushi Azuma, Ruiqin Tan, Toshiyuki Fujimoto, Isao Kojima, Akihito Shinozaki, Mizuho Morita: "Uncertainties Caused by Surface Adsorbates in Estimates of the Thickness of SiO_2 Ultrathin Films"Characterization and Metrology for ULSI Technology : 2003 International Conference. 337-342 (2003)
[文献書誌] Akihito SHINOZAKI, Kenta ARIMA, Mizuho MORITA, Isao KOJIMA, Yasushi AZUMA: "FTIR-ATR Evaluation of Organic Contaminant Cleaning Methods for SiO_2 Surfaces"ANALYTICAL SCIENCES. 19. 1557-1559 (2003)
[文献書誌] Naoto Yoshii, Satou Morita, Akihito Shinozaki, Minoru Aoki, Mizuho Morita: "Energy Barrier Heights of Ultra-thin Silicon Dioxide Films with Different Metal Gates"Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator 2003. 96-97 (2003)
[文献書誌] Naoto Yoshii, Satoru Morita, Akihito Shinozaki, Minoru Aoki, Mizuho Morita: "Determination of Energy Barrier Heights in MOS Diodes with Different Metal Gates"Extended Abstracts of the 9th Workshop on FORMATION, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 313-316 (2004)
[文献書誌] Akihito Shinozaki, Yuuki Morita, Satoru Morita, Mizuho Morita: "Oxide Thickness Dependence of Photo Currents of MOS Tunneling Diodes"Extended Abstracts of the 9th Workshop on FORMATION, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 317-320 (2004)
[文献書誌] 森田瑞穂: "赤外線加熱工学ハンドブック極薄シリコン酸化膜形成への応用"アグネ技術センター. 118-126 (2003)

2003 年度 実績報告書

シリコン/微小空隙/シリコン構造を用いたトンネル分光マイクロセンサの研究

研究代表者

森田 瑞穂 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905)

研究成果

[文献書誌] Akihito SHINOZAKI, Kenta ARIMA, Mizuho MORITA, Isao KOJIMA, Yasushi AZUMA: "FTIR-ATR Evaluation of Organic Contaminant Cleaning Methods for SiO_2 Surfaces"ANALYTICAL SCIENCES. 19. 1557-1559 (2003)

[文献書誌] Naoto Yoshii, Satou Morita, Akihito Shinozaki, Minoru Aoki, Mizuho Morita: "Energy Barrier Heights of Ultra-thin Silicon Dioxide Films with Different Metal Gates"Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator 2003. 96-97 (2003)

[文献書誌] Akihito Shinozaki, Yuuki Morita, Satoru Morita, Mizuho Morita: "Oxide Thickness Dependence of Photo Currents of MOS Tunneling Diodes"Extended Abstracts of the 9th Workshop on FORMATION, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 317-320 (2004)

[文献書誌] 森田瑞穂: "赤外線加熱工学ハンドブック 極薄シリコン酸化膜形成への応用"アグネ技術センター. 118-126 (2003)

2003 年度実績報告書

森田瑞穂大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905)

[文献書誌] 森田瑞穂: "赤外線加熱工学ハンドブック極薄シリコン酸化膜形成への応用"アグネ技術センター. 118-126 (2003)