| 研究課題/領域番号 |
13875130
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
丸山 俊夫 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (20114895)
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| 研究分担者 |
尾山 由紀子 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (00345373)
河村 憲一 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助教授 (50270830)
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| キーワード | 高温p-n接合 / 熱力学的平衡 / NiO-ZnO系 / 整流特性 / 無限寿命 / ドーピング / 薄膜 |
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| 研究概要 |
熱力学に平衡するp型NiO固溶体とn型ZnO固溶体による無限寿命高温p-n接合を実現するために本年は以下の研究を行った。
1.機能素子を目指した薄膜化の検討
NiO-ZnO系において、NiO固溶体を析出させたZnO固溶体を作製し、その上にPLD(パルスレーザーデポジション)法により、NiOを蒸着し、空気中で熱処理により、2相平衡する薄膜型p-n接合を形成した。この接合のI-V特性は焼結体同士の場合に比べて、順方向、逆方向とも高い導電率を有する整流特性を示した。
2.ドーピングによるp-n接合の高性能化
2相平衡を保ったままで、NiO固溶体へのp型およびZnO固溶体へのn型ドープの可能性を調べた。
ドーパントとしてLi_2OおよびAl_2O_3を取り上げた。特にLi_2OのドープではLi_2CO_3を用い、雰囲気のCO_2分圧を制御することにより、Li_2Oの活量を規定することにより行なった。その結果、NiO固溶体およびZnO固溶体へのLi_2OおよびAl_2O_3の分配比を求めた。この結果はドーピングによるp-n接合の高性能化の基礎となるものである。
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