| 研究課題/領域番号 |
14040216
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
浅野 種正 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 教授 (50126306)
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| 研究分担者 |
馬場 昭好 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 助手 (80304872)
牧平 憲治 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 助手 (10253569)
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| キーワード | 集積回路 / 高密度実装 / チップ積層 / バンプ / フリップチップ / 超音波接合 / 歪みセンサー / マイクロバンプ |
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| 研究概要 |
ミクロな領域の歪みダイナミクスを計測するという独特の手法を用いて、主として超音波接合によって積層チップ間の電気的な相互接続を図る場合の接合挙動を明らかにした。回路素子への影響も含めて検討して新たに得られた知見を以下に要約する。
・超音波によるバンプの形成時と、チップ間の接続を行う際のバンプの接合挙動は大きく異なる。バンプ形成時にはバンプは4分割された変形場で接合するのに対し、チップ間接合では2分割された変形場をもって接合が進行する。
・上記変形場の違いが、チップ積層する場合のチップ損傷の発生原因である。
・積層接合の際に生じるチップクラックは、接合の際に外力バイアスを重畳させることで回避できる。
・平坦なマイクロバンプの接合は、半球状バンプとは大きく異なり、バンプの表面の摩擦による変形挙動が接合を進行させる。
・回路素子直上にバンプ接続を行った場合でも、接合の際に発生する大きな歪みは素子への影響を与えず、接合後の残留した歪みによって特性変動をきたす。したがって、配線層などを含めて残留歪みを抑制する構造設計を行えば、超高密度の相互接続が可能になる。
・超高密度チップ間相互接続の方法して、ハロゲン化処理による接続法の可能性を示した。
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