| 研究分担者 |
松本 祐司 東京工業大学, フロンティア創造共同研究センター, 講師 (60302981)
瀧田 宏樹 筑波大学, 物質工学系, 教授 (00011213)
藤森 淳 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (10209108)
吉野 淳二 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (90158486)
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| 研究概要 |
2次元正孔系と希薄磁性半導体とのトンネル伝導において低温で超巨大トンネル磁気伝導度を見出した。量子ドットの隣接同位相クーロンピーク問題を,単一量子ドットのファノ効果を測定することにより実験的に解決した.
室温強磁性の可能性のある(Ga,Mn)N,(Zn,V)O,(Zn,Co)Oについて、共鳴光電子分光,X線吸収分光,X線内殻吸収磁気円二色性を用いて調べ,磁性イオンの価数,交換相互作用定数などを求めた。これにより,適当なドープ等により高い転移温度が得られる可能生があることを示した.
プロセスの工夫により,これら酸化物成長の基板となるTi_2Oについて,超平坦表面を得ることに成功した。その結果,薄膜成長の低温化を実現した.
II-VI族(Zn,Cr)Te,(Zn,Mn)Teについて,薄膜成長,ヘテロ構造FET成長を行い,磁性・伝導・光応答を測定した。臨界温度100Kに達する強磁性,量子ホール効果を示す高品質2次元電子系,磁気発光特定などを確認した。
GaAs(001)C(4x4)再構成表面上へのMnAsの初期成長過程をLEED IV測定とSTM観測のに基づき解析し,1x2構造のモデルを提案した。また,BEEM/BEES測定による局所的な磁気輸送特性測定の予備研究としてAlAsおよびGaAsを障壁層とするGaMnAs TMR構造のトンネルスペクトル測定を行い,その特性の違いについて検討を行った。
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