| 研究概要 |
希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁性の起源を調べるため,軟X線領域の吸収測定(XAS)を行い,その結果より,磁性の起源が運動交換相互作用による可能性が高いことを見出した.
また,強励起の超高速磁気光学Kerr効果の測定により,(Ga,Mn)Asのバンド構造がハーフメタリック的であることの初めての実験的証拠を得た.また,この結果は,磁性の起源についても,やはり何らかの交換相互作用的なものが大きく影響していることを示唆している.
赤外伝導度の測定からも示唆されていたことであったが,へき解断面を走査トンネル顕微鏡で観察することで,正孔波動関数の空間分布を実空間測定し,確かにほぼ局在していることを確認した.これは,金属絶縁体転移におけるスケーリング解析の結果を支持するものである.
2重障壁トンネルダイオードを作製し,その片側の電極を(Ga,Mn)Asとしたところ,GaAs電極では見られなかった共鳴ピークの分裂が見られた.温度依存性から,(Ga,Mn)As側のスピンによる状態密度の差を反映したものと考えられ,これまでに得られた結果と整合する.これはスピンフィルターとしての応用が考えられる.
更に,高移動度2次元正孔系を作製し,(Ga,Mn)Asよりスピン偏極正孔を注入する試みを行った.電極間隔が1μmの試料ではゼロ磁場付近にスピン偏極正孔によるものと思われるヒステリシスを伴う磁気抵抗が現れ,少なくとも1μm程度はスピン偏極が維持されていることがわかった.
|
