研究課題
基盤研究(S)
GaAsのpn接合を試料とし、光変調トンネル分光法を適用することで、順方向バイアスにより流れ込む少数キャリアー(今回はn型領域に流れ込むホール)の様子を初めて可視化することに成功した。これまで、マクロな計測結果を基にして微視的なモデルが議論されてきたが、その正しさをナノスケールで初めて立証した結果である。拡散長などを求めることを可能にした。また、原子スケールの観察も進め、単一欠陥やステップの構造が局所ポテンシャルに与える影響を可視化するとともに、これまで像を評価することでしか扱うことがなされてこなかったSTMによる解析を、トンネル電流を対象としてナノスケールでのポテンシャルに基づくモデルで議論することを可能にした。時間分解計測については、17年度に新しく導入した波長可変レーザーを用いることにより、特定の準位を選択的に励起することが可能となった。同システムを使用し、光学的なポンププローブ法による結果と比較することで、光励起STMによる信号の物理的な意味を探ることを試みた。その結果、光励起STMでも、光学的なポンププローブ法と同様に、励起波長に対応する励起準位の飽和吸収過程の観察を通じ、局所的なキャリアーの寿命・ダイナミックスを計測していることが明らかになった。装置も改良が進み、幅広い試料に対する適用が可能となった。
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