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[文献書誌] A.Kikuchi et al.: "Response to "Comment on 'AlN/GaN double-barrier resonant tunneling diodes grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy'"Applied Physics Letters. 83・17. 3626-3628 (2003)
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[文献書誌] J.Hamazaki et al.: "Ultrafast intersubband relaxation and nonlinear susceptibility at 1.55 μm in GaN/AlN multiple quantum wells"Applied Physics Letters. 84・7. 1102-1104 (2003)
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[文献書誌] A.Kikuchi et al.: "High optical quality InGaN/GaN multiple quantum disks on GaN nano-columns grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy"Technical Program of 45th Electronic Materials Conference. 61 (2003)
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[文献書誌] J.Hamazaki et al.: "Ultrafast intersubband relaxation at 1.55μm in GaN/AlN MQWs"7th Int.Conf. on Intersubband Transition in Quantum wells. E9 (2003)
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[文献書誌] M.Kawai et al.: "High-quality InN grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy as novel materials for optical communication"Proceedings of the 5th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-optics. 1. 344 (2003)
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[文献書誌] J.Hamazaki et al.: "Ultrafast intersubband relaxation at 1.55 μm in GaN/AlN MQWs"Proceedings of the 5th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-optics. 2. 548 (2003)
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[文献書誌] T.Ohashi et al.: "Growth and characterization of InGaN double heterostructures for optical devices at 1.5-1.7 μm communication wavelength"Abstracts of the 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes. 41-42 (2004)
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[文献書誌] A.Kikuchi et al.: "Stimulated emission from GaN nano-columns"Abstracts of the 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes. 71-72 (2004)
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[文献書誌] 川井 瑞恵 他: "RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製"電子情報通信学会 技術研究報告. 103・341. 33-37 (2003)
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[文献書誌] 石井 洋平 他: "GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性"電子情報通信学会 技術研究報告. 103・612. 29-33 (2004)
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[文献書誌] 浜崎 淳一 他: "GaN/AlN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の吸収飽和と高速緩和過程"日本物理学会2003年度秋季大会 講演予稿集. 21p-SB-2 (2003)
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[文献書誌] 森田 高行 他: "RF-MBE成長GaNの貫通転位密度に対するAlNバッファ層の影響"第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集. No.1. 30a-F-2 (2003)
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[文献書誌] 菊池 昭彦 他: "GaNナノコラムおよびInGaN/GaN多重ヘテロ構造ナノコラムの光学特性"第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集. No.1. 30a-G-6 (2003)
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[文献書誌] 川井 瑞恵 他: "RF-MBE法によるN極性GaN上InNの電気特性のV/III比依存性"第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集. No.1. 31p-G-3 (2003)
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[文献書誌] 大橋 達男 他: "RF-MBE法によるInN/GaN/InNヘテロ構造ナノコラム結晶の成長"第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集. No.1. 31P-G-9 (2003)
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[文献書誌] 石井 洋平 他: "GaN/AlN超格子におけるISBT吸収のキャリア濃度依存"第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集. No.1. 1a-G-6 (2003)
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[文献書誌] 山野 晃司 他: "AlN/GaN二重障壁共鳴トンネルダイオードのシミュレーション解析"第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集. No.1. 2a-G-7 (2003)
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[文献書誌] 松井 聰 他: "GaN/AlN多重量子井戸構造のサブバンド間遷移を用いた光制御光変調"第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集. 31a-YN-6 (2004)
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[文献書誌] 菊池 昭彦 他: "GaNナノコラム結晶からの低閾値光励起誘導放出"第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集. 28p-YN-11 (2004)
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[文献書誌] 山野 晃司 他: "GaN/AlN超格子構造を有するナノコラム結晶のRF-MBE成長"第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集. 28p-YK-11 (2004)
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[文献書誌] 大橋 達男 他: "1.5μm光通信波長帯におけるInGaNダブルヘテロ構造の成長と評価"第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集. 29a-YN-9 (2004)
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[文献書誌] 光野 徹也: "InN及びGaNの光通信波長帯屈折率の測定"第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集. 29p-YN-17 (2004)
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[文献書誌] 森田 高行 他: "RF-MBE法によるC面及びR面Al_2O_3基板上AlNのMBE成長"第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集. 30p-YN-8 (2004)