| 研究概要 |
(1)レーザーアブレーション薄膜作成装置の改良:
エキシマーレーザーを用いた,レーザーアブレーション法による薄膜作成装置において,温度が十分に上がらず,また,均一性に問題があるため,基板の加熱方式をランプ加熱方式に変更し,装置を改造した。これにより,均質度の高い薄膜を作成することに成功した。
(2)銅酸化物超伝導体単結晶薄膜の作製:
改良したレーザーアブレーション薄膜作成装置で,アンダードープからオーバードープまでの種々のキャリヤ濃度のLa系超伝導体薄膜を作成した。直流電気低抗率の温度依存性を測定すると,バルク単結晶で得られている相図と一致するものが得られた。
(3)収束イオンビーム(FIB)による細線作成の試み:
昨年度にトレーニングを開始した収束イオンビームエッチングにより,薄膜に細線を作ろうとしたが,いずれも良好な結果は得られなかった。
(4)低接触抵抗電極開発の研究(継続)
昨年に引き続き,酸化物上に,非常に接触抵抗の低い電極を作成することを目的として,種々の電極形成技術の研究を行ったが,微細加工した試料にたいする良好な結果はえられないまま,研究の終了時期を終えてしまった。酸化物固体でショットノイズを測定するためには,FIBと電子計測機器が一体となった環境が必須であり,研究機関も5年は必須であるというのが実感である。
(5)交流伝導度における超伝導ゆらぎの精密測定による高温超電導体の電子相図の検討
最終年度にいたって,ショットノイズを測定して,銅酸化物高温超伝導体の電子相図を議論するにいたらなかった。代わりに,作成した薄膜にたいして,別途開発したマイクロ波ブロードバンド法を用いて,超伝導臨界温度より高温側の超伝導揺らぎを精密に測定することができるようになった。これによると,最適ドープ組成の試料だけが異質の揺らぎをしめしており,量子臨界点の存在を示唆する結果となっている。
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