研究課題/領域番号 |
14350002
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研究機関 | 埼玉大学 |
研究代表者 |
鎌田 憲彦 埼玉大学, 工学部, 助教授 (50211173)
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研究分担者 |
本多 善太郎 埼玉大学, 工学部, 助手 (30332563)
染谷 隆夫 東京大学, 先端科学技術研究センター, 講師 (90292755)
荒川 泰彦 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (30134638)
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キーワード | フォトルミネッセンス / 非発光再結合準位 / GaN / 紫外・青色発光材料 / 量子井戸構造 |
研究概要 |
本年度研究実施計画に基づき、下記の項目について研究を推進した。 (1)励起光学系での波長可変光源の整備 固体結晶用レーザー共振器、フラッシュランプ用電源を導入し、Nd:YAG及び高調波発生用結晶等と組み合わせることにより、可視〜近赤外域(400〜2,000nm)での波長可変光源として整備した。この光源を禁制帯内励起(Below-Gap Excitation)とする、新たな2波長励起フォトルミネッセンス測定系を構築した。 (2)GaN系半導体の基礎測定 GaN/AlGaN量子井戸構造半導体試料の構造検討、MOCVD結晶成長及び予備測定を開始した。 (3)プラズマMBE成長試料の禁制帯内準位測定 Hannover大学(ドイツ)より依頼されたプラズマMBE成長GaN/AlGaN量子井戸構造半導体試料の2波長励起フォトルミネッセンス測定を行い、禁制帯内準位の検出に成功した。バッファ層厚、量子井戸周期の増加により発光領域の結晶品質改善が可能であることを実証した(GaN系半導体国際会議発表予定)。
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