| 研究課題/領域番号 |
14350172
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
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| 研究分担者 |
安藤 義則 名城大学, 理工学部, 教授 (30076591)
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 助教授 (30282338)
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| キーワード | ナノチャンネルエピタキシー / 走査トンネル顕微鏡 / STMリソグラフィー / Si熱酸化膜 / GaNドット / 液滴エピタキシー / 面間拡散 / 分子線結晶成長 |
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| 研究概要 |
本年度の研究実績を列挙する。
1.GaAs基板表面の窒化によるSTMリソグラフィー用極薄膜マスクの作製
GaAs基板表面の窒化過程を検討した。窒化条件(時間、温度、Rfラジカル源の励起パワー等)を精密に制御した結果、およそ5Åの極薄膜窒化マスクの作製に成功した。
2.Si熱酸化膜の走査トンネル顕微鏡(STM)を用いたリソグラフィー
ナノチャンネルエピタキシー(NCE)のマスクとして期待されるSi熱酸化膜のSTMリソグラフィーメカニズムを検討した。バイアス電圧150V、トンネル電流10nAと固定し、走査速度を0.5〜1.6nm/sの範囲で変化した結果、リソグラフィーされた線幅は75-25nmと走査速度が速いほど狭くなった。数値解析結果と比較検討することにより、リソグラフィーの臨界条件は電流の全積算値ではなく、時間減衰を含む積算値となり、酸化膜のリソグラフィー中における"改善効果"の存在が示唆された。
3.ビーム誘起横方向成長(BILE)
(001)GaAs基板上のBILEにおいて分子線結晶成長時のAs圧が、その形状に与える影響を調べた。As圧を4.5x10^<-3>Paと上昇させることにより、表面Ga原子の面間拡散を上面から側面へ向くものへ変更でき、BILE形状の平坦化に成功した。しかしながら、今回は成長層上面全体に(001)ファセットを形成した完全平坦化には至らなかった。成長層上面に(001)ファセットを形成し、平坦で良好な横方向成長が達成される条件を見いだすことが重要である。
4.液滴エピタキシーを用いたGaNドット構造の作製
本年は、アンモニアを用いたGaドットの窒化について調べた。ドット窒化後に熱処理を加えることにより、直径が30nmと小さく2.8x10^<10>cm^<-2>の高密度のGaNドットを作製することに成功した。
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