| 研究概要 |
正方晶三元化合物PrCu_2Ge_2が示す"非常に奇妙な磁化過程および磁化率を温度依存性"の機構解明を目的として、実験を行ってきている。
1)純良単結晶の育成;物性の試料依存性の有無および中性子回折実験のために、いくつかの単結晶の育成を行った。研究対象としている振る舞いは単結晶の質に大きく依存する可能性があるので、この後もより良い単結晶の育成を行っていく予定である。
2)電気抵抗の測定;ゼロ磁場中での抵抗の温度依存の測定および低温で磁気抵抗の測定を行った。温度依存では、磁化率等で異常のあった5K付近で、抵抗のとびを観測した。したがって、この温度で、何らかの転移があることは確認できた。また、磁場依存では、磁化のとびに対応して抵抗も変化しているようには見えるが、測定精度があまり良くなく変化があるとは断定できていない。今後さらに、精度の良い測定を行う予定である。
3)中性子回折実験;京都大学原子炉実験所(KUR)および日本原子力研究所東海研究所の東京大学物性研究所中性子散乱研究施設(JRR-3)で実験を行った。ゼロ磁場下の低温において、(100)などの反強磁性磁気散乱ピークの存在を確認した;低温では、波数ベクトルQ=(0,0,1)、磁気モーメント//C軸の単純な反強磁性構造であることを確認した。この(100)ピーク強度の温度変化において、5K付近で強度のとびがあることを見出した。また、5K以上の温度で、(100)等の磁気散乱にくわえて、新しい反強磁性散乱(0±τ01)(τ=0.035)を見出した。したがって、5K付近の転移は、磁気的な転移であることがわかった。詳しい磁気構造については、今後確定する。
磁気的な振る舞いなどは、"第6回f-電子系関するプラハ・コロッキューム"(チェコ)および"2002強相関電子系の国際会議"(ワルシャワ・ポーランド)において発表を行った。
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