研究概要 |
II-VI族化合物半導体の粒径をナノメーター程度まで小さくすると、電子は有効ボアー半径の中に閉じ込められて、量子効果と非線形光学物性を示すことが分かってきた。ポーラスの細孔を持っているSiO_2を主成分とするゾルゲルシリカガラスおよびシリカナノチューブMCM41にナノ半導体微粒子と希土類イオンをドープさせ、その発光を研究した。試料として、希土類(III)イオンをドープした半導体ナノ結晶(Zn,Cd)S:RE(III)(RE=Tb^<3+>,Eu^<3+> etc)を合成し、サイト選択時間分解蛍光(TRS-FLN)、蛍光スペクトル、寿命およびそれらの温度変化を測定し、バルク結晶の場合とNCの発光結果を比較し、発光特性評価を行った。SiO2/CdS:REに関しては、CdSの表面欠陥にもとずく赤色発光とf-f遷移が重なるので、電子状態が解明しやすいMCM41/CdS:Euに絞って研究した。NC試料:MCM41/CdS:Eu^<3+>,Tb^<3+>(逆ミセル法で合成)のサイズはTEMおよび励起スペクトル/拡散反射スペクトルによる実測/計算値より約3-5nmであった。Eu^<3+>の発光ピークは16,300cm^<-1>の近傍にあることがTRSより判明。しかし多くの場合ブロードな発光バンドがCdS(14.5KK)及びSiO_2母体(19KK)に基づき出現するので、PLでは確認し難い。試料:MCM41/ZnS:Eu^<3+>,Tb^<3+>ではA,B,C linesとして観測される。NC固有のスペクトル特性:表面修飾剤(C16,C10 AOT)の違いが寿命の差になること、ピコ秒の寿命成分の存在、dopants(Eu,0,Tb)の及すバンド位置のシフト、顕著な磁気双極子遷移などに見られている。Sp-d混成の開明には複雑なvibronic bandsおよび励起スペクトルの解析が必要。
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