| 研究概要 |
GaN系電子デバイスのモデル化を行うにあたり,まず,GaNやAlGaNの物質パラメータ,特に移動度などの輸送パラメータの不純物濃度依存性や組成依存性あるいは電界強度依存性に関する実験データ(や理論計算)を調査すると共に,それらの定式化について検討した.また,高電力デバイスとして応用するときに問題となるキャリアの衝突イオン化のモデル化手法についても検討し,これらをデバイスシミュレーションプログラムに組み入れられるようにした.
また,GaN系電子デバイスにおいてしばしば見られる「電流コラプス」,「キンク」,「ゲートラグ」,「ドレインラグ」等に大きな影響を与える深い不純物準位の特定を行うため,広く文献調査し,主要な深い不純物準位を特定すると共に,シミュレーションプログラムに取り入れられるようモデル化した.
一方,シミュレーションプログラムについては,基本的に,従来我々が独自に開発し活用してきたGaAs MESFET, HEMT, HBT等の2次元定常及び過渡シミュレーションプログラムを利用することと(し,一部市販のシミユレータを比較用に用いることと)した.これらのプログラムをGaN, AlGaN系に適用できるよう修正している.
今後は,完成したプログラムを用い,GaN MESFET, AlGaN/GaN HEMT及びAlGaN/GaN HBT等の定常及び過渡解析を行い,上述の「電流コラプス」や「キンク」あるいは「ゲートラグ」や「ドレインラグ」等を再現し,それらの機構について検討していくつもりである.
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