| 研究課題/領域番号 |
14550335
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| 研究機関 | 明星大学 |
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研究代表者 |
鷹野 致和 明星大学, 理工学部, 教授 (90287897)
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| 研究分担者 |
松井 敏明 通信技術総合研究所, 無線通信部門ミリ波デバイスグループ, 研究グループ長
小倉 睦郎 産業技術総合研究所, 光技術研究部門量子ナノ構造グループ, 研究グループ長 (90356717)
板谷 太郎 産業技術総合研究所, 光技術研究部門光電子制御デバイスグループ, 主任研究員 (60356459)
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| キーワード | フェムト秒パルス発生伝播 / 可変容量ダイオード / ヘテロ接合 / GaN / GaAlNヘテロ構造 / 有限要素法シミュレーション / CV, IV特性 |
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| 研究概要 |
フェムト秒パルス発生を可能とするヘテロ接合型可変容量ダイオードの設計および試作を行った。まず化合物半導体デバイス設計に実績があるSilvaco社のATLAS/BLAZEソフトを用いて、有限要素法を用いてSI-GaAs上にn-GaAs/p-AlGaAs/n-GaAs構造、SI-InP上にn型InGaAs/SIInAlAs/N-InGaAs構造、サファイア上にn-GaN/SI-AlGaN/n-GaN構造を夫々作成したときのIV特性、CV特性をシミュレーションによって求めサンドイッチされる高バンド幅層の厚さ、層数によってCV特性がどう変わるかを明らかにした。
次いで実際に、GaAs系、GaN系構造をCVDによって成長し、ホトリソ工程、ドライエッチング工程、オーミック電極形成工程を経てダイオード構造を作りIV特性、CV特性をそれぞれパラメータアナライザ、CVメータを用いて測定し、シミュレーション結果と比較した。
この結果、GaAs系、GaN系ともシミュレーション結果と一致したCV特性が実験的に確かめられた。GaAs系ではバンドギャップが狭いためリーク電流が大きい、GaN系では結晶の完成度が低い、GaNとAlGaN間のピエゾ効果による電界誘起効果が見られる等、新しい結果が得られている。
これらの結果は通信学会研究委員会で発表済み、及びGaN国際会議で発表予定である。又、昨年度実施したGaAsPN接合容量ダイオードを用いたフェムト秒パルス伝播実験結果の一部は応用物理学会欧文誌に発表した。
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