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1.ヘプチルビオロゲン(HV)の二次元ファラデー相転移を検討した。HVがHOPGベーサル面電極で示すスパイク応答は、酸化体ガス状吸着膜と還元体凝縮単分子膜との間の一次相転移として理解できた。ダブル電位ステップに対する可視光反射過渡応答を用い、一次相転換に特有の双安定電位額域内の酸化体(還元体の存在比を追跡し、1:1の共存状態を生成できた。さらに、双安定電位領域の広さは分子間相互作用によって制御できた。プローブ電極列を用いた界面電位差変化測定から相転移フロントの動きを追跡するための測定系の構築に成功したが、感度は不十分であった。また、蛍光顕微観察やレーザーを使って局所的な反射を追跡する方法によっても相転移フロントの把握は困難であった。
2.末端に電位応答性の吸脱着活性基をもつ長鎖分子の吸着層における相変化挙動を、アルキル長鎖の末端に4-ピリジル基またはイミダゾリル基を持つ分子を合成し、Au(111)帰結晶電極表面で検討した。いずれの分子も、コンパクトな単分子層から、脱着した凝集状態に至る相変化を起こしたが、その電位依存性のパターンは分子構造に敏感に依存した。末端基のほか、アミド基の有無と分子内位置、pH、炭酸イオンの共存、展開膜への電極の水平付着回数の効果などを解明した。また、光散乱等の分光電気化学的手法によっても電位による吸着層の状態変化を追跡することができた。
3.デンドリマー吸着層の電位による相変化を、外殻表面全ての末端を4-ピリジル基で修飾したPAMAMデンドリマーについて、Au(111)電極表面で追跡した結果、電位変化に可逆的に応答した部分的吸脱着と末端基の吸着配向変化に対応するシグナルを世界に先駆けて得た。
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