研究概要 |
本研究では、カプサイシンを顔面皮膚に貼付することにより痛覚過敏モデルサルを作製し、痛覚過敏の中枢神経機構を電気生理学的に解明することを目的とした。顔面皮膚上に温度刺激用プローブを設置し、熱刺激強度変化弁別課題、冷刺激強度変化および光刺激強度変化弁別課題ができるように覚醒サルを訓練する。顔面皮膚上にカプサイシンを塗布し痛覚過敏モデルサルを作製し、同サルが上記課題を遂行している間に、第一次体性感覚野から単一ニューロン活動を記録する。熱刺激としては、T1を44℃に、またT2温度変化は0.2-0.8℃とし、各刺激温度変化に対する弁別時間、および逃避行動の出現率を算出する。同様の課題について、カプサイシン塗布により、弁別時間の短縮および逃避行動の発現頻度の増加が観察された。痛覚過敏が発症していることを確認した後、大脳皮質第一次体性感覚野から単一ニューロン活動を記録した。同一のサルにおいて,カプサイシン処理および未処理時における行動とニューロン活動との関係を検索した。カプサイシン処理をすることにより、大脳皮質ニューロン活動は著しく更新した。一方、カプサイシン処理によってサルの熱刺激弁別時間も短縮傾向を認めたものの、弁別時間の短縮率はニューロン活動の増加率と完全に一致しなかった。現在は、延髄に薬物注入用のプローブを慢性的に埋め込み、NMDA受容体およびAMPA受容拮抗薬を三叉神経脊髄路核に注入し、グルタミン酸の痛覚過敏発症における役割について検索中である。
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