研究概要 |
本研究では、ジエチル亜鉛(DEZn)、モノメチルゲルマン(MMGe)、マイクロ励起N_2を用いたリモートプラズマ励起有機金属気相成長法により、α-Al_2O_3(10-12)基板上にZnGeN_2をエピタキシャル成長させ、その結晶構造および光学的特性について検討を行った。その結果、基板温度775℃以上で単結晶ZnGeN_2薄膜を得ることに成功した。高速電子線回折法およびx線回折により決定したZnGeN_2とサファイア基板とのエピタキシャル方位関係は、ZnGeN_2(010)/α-Al_2O_3(10-12),ZnGeN_2[100]//α-Al_2O_3[11-20】,ZnGeN2[001]//α-Al_2O_3[10-11]であった。この単結晶ZnGeN_2薄膜のホトルミネセンス測定により、低温にて3.3eV付近に強い励起子発光が観測され、励起子発光ピークの温度依存性より、単結晶ZnGeN_2のバンドギャップの温度依存性を明らかにすることができた。
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