| 研究概要 |
本研究の目的は、スピン偏極電子線と我々が開発した電子散漫散乱による直接的な表面構造解析法(振動相関熱散漫散乱法)を組み合わせた、表面原子の構造とスピン配列を同時に直接的に観測できる新しい実験手法の開発である。2年目の本年度は、次の様な作業・研究を行った。
1.スピン偏極電子銃の組立
前年度に設計・製作を行ったスピン偏極電子銃は、GaAs陰極槽、電子レンズ部、励起レーザー部の3つの部分から構成されている。本年度は、それらを組み立て、Cs蒸着源、酸素導入系とターボ分子ポンプ(申請備品)等の真空排気系を取り付けた。また、組み立てたスピン偏極電子銃をMCP低速電子回折装置と共に超高真空槽への取り付けを行った。
2.スピン偏極電子銃の調整
スピン偏極電子銃を超高真空に排気した後に陰極(GaAs)の清浄化、活性化実験を行った。清浄化されたGaAs表面に,Csと酸素を交互に導入することによって、活性化状態(負性電子親和力状態)を得ることができた。また、活性化した陰極に円偏光レーザーを照射することによつてスピン偏極した電子が発生することを確認した。さらに、静電電子レンズ、90°偏向レンズの調整を行い、偏極電子奪収束して測定試料に導くことを可能にした。
3.測定試料(ナノ磁性薄膜)の準備
電子衝撃加熱型蒸発源(申請備品)を用いてSi単結晶表面や銅単結晶表面に鉄、コバルト、クロム、マンガン等の磁性エピタキシャル薄膜を成長させるための基礎的な実験を開始した。
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