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ドナー又はアクセプター分子をドープした高分子中での電荷移動度に対する印加電場とドープされた分子の濃度の効果を理論的に研究した。現在までの我々の研究により、電荷移動度の印加電場依存性については、マーカス式によるホッピングの頻度と静電ポテンシャルの乱れの両方の効果を考慮して定性的に説明できる事が示されている。さらに、定量性を良くするために、ドープされた分子の空間分布を考慮した理論を構築している。低電場領域での、電荷移動度に対するドープ分子の濃度依存性については比較的単純な理論式を用いて数値計算の結果を濃度の広い領域で良く表せることを示した。
ホールや電子の輸送において、これらの捕獲サイトのエネルギーが分布を持っている場合には、捕獲サイトでの滞在時間が長時間のベキ的な分布を持ち、これらの粒子の距離の二乗平均が時間と比例せずゆっくりと広がる様になる。このような異常拡散媒質中での反応を記述するための、反応拡散方程式は知られていなかった。最近、現象論的に反応拡散方程式を導入し、再結合反応について理論的な解析が行われたが、我々は現象論的に導入された反応拡散方程式は反応速度が遅い場合には、間違っていることを指摘した。さらに、酔歩モデルから、空間で連続極限を取ることにより、反応速度が小さい場合にも成立する反応拡散方程式を導き、再結合反応について理論と数値計算を組み合わせた詳しい解析を行った。
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